Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

*Tên công ty
*Tên
*Tiêu đề

*Địa chỉ email
*Số điện thoại

*Quốc gia
*Cửa sổ liên lạc
*Ngày sự kiện

*Thông điệp

Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.

Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > IPB144N12N3GATMA1

RFQs/đơn đặt hàng (0)

Tiếng Việt

Tiếng Việt

4304281

Hình ảnh IPB144N12N3GATMA1.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB144N12N3GATMA1

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

1+

$2.00

10+

$1.806

100+

$1.451

500+

$1.129

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

IPB144N12N3GATMA1
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

IPB144N12N3GATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 61µA
Vgs (Tối đa)

±20V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

D²PAK (TO-263AB)
Loạt

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS

14.4 mOhm @ 56A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

107W (Tc)
Bao bì

Original-Reel®
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác

IPB144N12N3 GDKR
IPB144N12N3 GDKR-ND
IPB144N12N3GATMA1DKR
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 60V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

120V
miêu tả cụ thể

N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

56A (Ta)

Tin tức liên quan
Đang chuyển hàng
Thanh toán

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Đang chuyển hàng

Sự chi trả

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "IPB144N12N3GATMA1".

IPB13N03LB

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 220V TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB12CNE8N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB14N03LA

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB160N04S203ATMA1

IPB160N04S203ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB14N03LA G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET P-CH TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB13N03LB G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 30A TO-263

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH TO263-7

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB136N08N3 G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB14N03LAT

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB12CN10N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH TO262-7

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.

Theo chúng tôi

Điều khoản và điều kiện Chính sách vi phạm Yêu cầu báo giá Về chúng tôi Liên hệ chúng tôi Bản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.