Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Tin tức > Micron: Nhu cầu AI sẽ tăng lên, EUV DRAM sẽ được đưa vào sản xuất vào năm 2025
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt

Micron: Nhu cầu AI sẽ tăng lên, EUV DRAM sẽ được đưa vào sản xuất vào năm 2025


Khi công nghệ Trí tuệ nhân tạo (AI) mở rộng từ các máy chủ đám mây sang thiết bị tiêu dùng, nhu cầu về AI tiếp tục phát triển.Công nghệ Micron đã phân bổ đầy đủ khả năng sản xuất bộ nhớ băng thông cao (HBM) đến năm 2025. Donghui Lu, phó chủ tịch của công ty và người đứng đầu Meguiar Đài Loan, Trung Quốc, nói rằng Meguiar đã tận dụng sự gia tăng nhu cầu của AI và dự kiến ​​sẽ cải thiệnHiệu suất năm 2025.

Donghui Lu nhấn mạnh rằng sự xuất hiện của các mô hình ngôn ngữ quy mô lớn đã tạo ra những nhu cầu chưa từng có cho các giải pháp bộ nhớ và lưu trữ.Là một trong những nhà sản xuất lưu trữ lớn nhất thế giới, Micron hoàn toàn có khả năng tận dụng sự tăng trưởng này.Ông tin rằng mặc dù sự gia tăng gần đây trong đầu tư AI, chủ yếu tập trung vào việc xây dựng các trung tâm dữ liệu mới để hỗ trợ các mô hình ngôn ngữ lớn, cơ sở hạ tầng này vẫn đang được xây dựng và sẽ mất vài năm để phát triển đầy đủ.

Công nghệ Micron dự đoán rằng làn sóng tăng trưởng AI tiếp theo sẽ đến từ việc tích hợp AI vào các thiết bị tiêu dùng như điện thoại thông minh và máy tính cá nhân.Chuyển đổi này sẽ đòi hỏi sự gia tăng đáng kể khả năng lưu trữ để hỗ trợ các ứng dụng AI.Donghui Lu đã giới thiệu rằng HBM liên quan đến công nghệ đóng gói tiên tiến, kết hợp các yếu tố quy trình mặt trước (sản xuất wafer) và back-end (bao bì và thử nghiệm), mang lại những thách thức mới cho ngành.

Trong ngành công nghiệp lưu trữ cạnh tranh khốc liệt, tốc độ mà các công ty phát triển và cải thiện sản phẩm mới là rất quan trọng.Donghui Lu giải thích rằng sản xuất HBM có thể làm xói mòn sản xuất bộ nhớ truyền thống, vì mỗi chip HBM yêu cầu nhiều chip bộ nhớ truyền thống, có thể gây áp lực lên toàn bộ khả năng sản xuất của ngành.Ông chỉ ra rằng sự cân bằng tinh tế giữa cung và cầu trong ngành công nghiệp bộ nhớ là một vấn đề lớn và cảnh báo rằng sản xuất quá mức có thể dẫn đến chiến tranh giá cả và suy giảm ngành công nghiệp.

Donghui Lu nhấn mạnh vai trò của Đài Loan, Trung Quốc trong kinh doanh AI của Meguiar.Nhóm R & D quan trọng của công ty và các cơ sở sản xuất tại Đài Loan, Trung Quốc rất quan trọng đối với việc phát triển và sản xuất HBM3E.Các sản phẩm của Micron HBM3E thường được tích hợp với công nghệ COWOS của TSMC và sự hợp tác chặt chẽ này cung cấp những lợi thế đáng kể.

Nhận thức được tầm quan trọng của công nghệ EUV trong việc cải thiện hiệu suất và mật độ của chip lưu trữ, Micron đã quyết định hoãn việc áp dụng tại các nút 1 α và 1, ưu tiên hiệu suất và hiệu quả chi phí.Donghui Lu nhấn mạnh đến chi phí cao và độ phức tạp của thiết bị EUV, cũng như những thay đổi đáng kể cần được thực hiện trong quá trình sản xuất để thích nghi với nó.Mục tiêu chính của Micron là sản xuất các sản phẩm lưu trữ hiệu suất cao với chi phí cạnh tranh.Ông tuyên bố rằng việc trì hoãn việc áp dụng EUV sẽ cho phép họ đạt được mục tiêu này hiệu quả hơn.

Micron luôn tuyên bố rằng HBM3E 8 lớp và 12 lớp có mức tiêu thụ năng lượng thấp hơn 30% so với các sản phẩm của đối thủ cạnh tranh.Công ty có kế hoạch sử dụng nút EUV 1 để sản xuất quy mô lớn ở Đài Loan, Trung Quốc, Trung Quốc vào năm 2025. Ngoài ra, Micron cũng có kế hoạch giới thiệu EUV tại nhà máy Hiroshima tại Nhật Bản, mặc dù sau này.

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát