Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - IGBT - Đơn > FGP20N6S2D
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1073353

FGP20N6S2D

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    FGP20N6S2D
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    IGBT 600V 28A 125W TO220AB
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    1.FGP20N6S2D.pdf
    2.FGP20N6S2D.pdf
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 7A
  • Điều kiện kiểm tra
    390V, 7A, 25 Ohm, 15V
  • Td (bật / tắt) @ 25 ° C
    7.7ns/87ns
  • chuyển đổi năng lượng
    25µJ (on), 58µJ (off)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    TO-220AB
  • Loạt
    -
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    31ns
  • Power - Max
    125W
  • Bao bì
    Tube
  • Gói / Case
    TO-220-3
  • Vài cái tên khác
    FGP20N6S2D_NL
    FGP20N6S2D_NL-ND
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kiểu đầu vào
    Standard
  • Loại IGBT
    -
  • cổng phí
    30nC
  • miêu tả cụ thể
    IGBT 600V 28A 125W Through Hole TO-220AB
  • Hiện tại - Collector xung (Icm)
    40A
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
    28A

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "FGP20N6S2D".
FGP20C-E3/73

FGP20C-E3/73

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP30BHE3/73

FGP30BHE3/73

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP30CHE3/54

FGP30CHE3/54

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP30B-E3/73

FGP30B-E3/73

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP20DHE3/73

FGP20DHE3/73

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP20D-E3/73

FGP20D-E3/73

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP20CHE3/73

FGP20CHE3/73

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP20DHE3/54

FGP20DHE3/54

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP20C-E3/54

FGP20C-E3/54

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP30C-E3/73

FGP30C-E3/73

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP30B-E3/54

FGP30B-E3/54

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP20N6S2

FGP20N6S2

Sự miêu tả: IGBT 600V 28A 125W TO220AB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
FGP30BHE3/54

FGP30BHE3/54

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP30CHE3/73

FGP30CHE3/73

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP20CHE3/54

FGP20CHE3/54

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP30C-E3/54

FGP30C-E3/54

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
FGP30D-E3/54

FGP30D-E3/54

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
FGP3040G2-F085

FGP3040G2-F085

Sự miêu tả: ECOSPARK 2 IGNITION IGBT

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
FGP20D-E3/54

FGP20D-E3/54

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
FGP20N60UFDTU

FGP20N60UFDTU

Sự miêu tả: IGBT 600V 40A 165W TO220

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.