Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased > NSB13211DW6T1G
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
4762139Hình ảnh NSB13211DW6T1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    NSB13211DW6T1G
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    NSB13211DW6T1G.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
  • Loại bóng bán dẫn
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Loạt
    -
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)
    4.7 kOhms, 10 kOhms
  • Power - Max
    230mW
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tần số - Transition
    -
  • miêu tả cụ thể
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE
    35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "NSB13211DW6T1G".
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB12ANT3G

NSB12ANT3G

Sự miêu tả: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Nhà sản xuất của: Hamlin / Littelfuse
Trong kho
RFQ
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

Sự miêu tả: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8BT-E3/81

NSB8BT-E3/81

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

Sự miêu tả: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
NSB13ANT3G

NSB13ANT3G

Sự miêu tả: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Sự miêu tả: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.