Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - lưỡng cực (BJT) - đơn, Pre-Biased > SDTC114YET1G
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
900091Hình ảnh SDTC114YET1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SDTC114YET1G

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1+
$0.16
10+
$0.142
100+
$0.077
500+
$0.048
1000+
$0.032
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    SDTC114YET1G
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75-3
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    SDTC114YET1G.pdf
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Loại bóng bán dẫn
    NPN - Pre-Biased
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    SC-75, SOT-416
  • Loạt
    -
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)
    47 kOhms
  • Điện trở - Cơ sở (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    200mW
  • Bao bì
    Cut Tape (CT)
  • Gói / Case
    SC-75, SOT-416
  • Vài cái tên khác
    SDTC114YET1GOSCT
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    2 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thể
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 5mA, 10V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Số phần cơ sở
    DTC114

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "SDTC114YET1G".
SDT8A100P5-7D

SDT8A100P5-7D

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 100V 8A POWERDI 5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDT8A100P5-13

SDT8A100P5-13

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 100V 8A POWERDI 5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDT8A100P5-13D

SDT8A100P5-13D

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 100V 8A POWERDI 5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDT8A120P5-7D

SDT8A120P5-7D

Sự miêu tả: SCHOTTKY RECTIFIER PDI5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDT8A120P5-7

SDT8A120P5-7

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 120V 8A POWERDI 5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDT5H100P5-7D

SDT5H100P5-7D

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI 5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDT5H100P5-7

SDT5H100P5-7

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI 5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDT8A100P5-7

SDT8A100P5-7

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 100V 8A POWERDI 5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDT8A120P5-13

SDT8A120P5-13

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 120V 8A POWERDI 5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDTC114EET1G

SDTC114EET1G

Sự miêu tả: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75-3

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
SDTK-2

SDTK-2

Sự miêu tả: SCOTCHLOK TERMINAL KIT

Nhà sản xuất của: 3M
Trong kho
RFQ
SDT8A120P5-13D

SDT8A120P5-13D

Sự miêu tả: SCHOTTKY RECTIFIER PDI5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDTA114YET1G

SDTA114YET1G

Sự miêu tả: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
SDTC124EET1G

SDTC124EET1G

Sự miêu tả: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
SDT8A120P5Q-13D

SDT8A120P5Q-13D

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 120V 8A POWERDI5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDTC144EET1G

SDTC144EET1G

Sự miêu tả: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

Nhà sản xuất của: ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
SDT8A120P5Q-7D

SDT8A120P5Q-7D

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 120V 8A POWERDI5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDT8A120P5Q-13

SDT8A120P5Q-13

Sự miêu tả: SCHOTTKY RECTIFIER PDI5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
SDTK-1

SDTK-1

Sự miêu tả: SCOTCHLOK TERMINAL KIT

Nhà sản xuất của: 3M
Trong kho
RFQ
SDT8A120P5Q-7

SDT8A120P5Q-7

Sự miêu tả: SCHOTTKY RECTIFIER PDI5

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.