IR02SH120K

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

IR02SH120K
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Dale / Vishay
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

IR-2 12 10% RJ1
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

IR02SH120K.pdf
Kiểu

-
Lòng khoan dung

±10%
Gói thiết bị nhà cung cấp

Axial
Size / Kích thước

0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm)
che chắn

Unshielded
Loạt

IR
xếp hạng

-
Q @ Freq

45 @ 2.5MHz
Bao bì

-
Gói / Case

Axial
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 105°C
gắn Loại

Through Hole
Vật liệu - Core

Iron
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tần số cảm - Kiểm tra

2.5MHz
cảm

12µH
Chiều cao - Ngồi (Max)

-
Tần số - Tự Resonant

40MHz
Tính năng

-
miêu tả cụ thể

12µH Unshielded Inductor 155mA 2.7 Ohm Max Axial
DC Resistance (DCR)

2.7 Ohm Max
Đánh giá hiện tại

155mA
Hiện tại - Saturation

-

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "IR02SH120K".

IR02SH1R8K

Sự miêu tả: IR-2 1.8 10% RJ1

Nhà sản xuất của: Dale / Vishay

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

IR02SH120K

Yêu cầu báo giá

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

AMD ra mắt việc xây dựng giai đoạn thứ hai của Trun...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại