Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > ES2BHE3_A/H
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1982093Hình ảnh ES2BHE3_A/H.Electro-Films (EFI) / Vishay

ES2BHE3_A/H

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
750+
$0.273
1500+
$0.211
2250+
$0.192
5250+
$0.18
18750+
$0.167
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    ES2BHE3_A/H
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    ES2BHE3_A/H.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    900mV @ 2A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    100V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    DO-214AA (SMB)
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    Automotive, AEC-Q101
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    20ns
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    DO-214AA, SMB
  • Vài cái tên khác
    ES2BHE3_A/H-ND
    ES2BHE3_A/HGITR
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    53 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    10µA @ 50V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    2A
  • Dung @ VR, F
    18pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "ES2BHE3_A/H".
ES2BAHR3G

ES2BAHR3G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2BHE3/52T

ES2BHE3/52T

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2BA-13

ES2BA-13

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
ES2BHE3_A/I

ES2BHE3_A/I

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2BHE3/5BT

ES2BHE3/5BT

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2C-E3/52T

ES2C-E3/52T

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2C-13-F

ES2C-13-F

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A SMB

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
ES2B/1

ES2B/1

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2C-13

ES2C-13

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A SMB

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
ES2B-TP

ES2B-TP

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: Micro Commercial Components (MCC)
Trong kho
RFQ
ES2BAHM2G

ES2BAHM2G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2C

ES2C

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
ES2BA-13-F

ES2BA-13-F

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
ES2BA M2G

ES2BA M2G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2BHR5G

ES2BHR5G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2C-LTP

ES2C-LTP

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: Micro Commercial Components (MCC)
Trong kho
RFQ
ES2BHM4G

ES2BHM4G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2C-E3/5BT

ES2C-E3/5BT

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2BA R3G

ES2BA R3G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2C R5G

ES2C R5G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.