Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > ES2GHE3_A/I
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1510933Hình ảnh ES2GHE3_A/I.Electro-Films (EFI) / Vishay

ES2GHE3_A/I

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
3200+
$0.192
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    ES2GHE3_A/I
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    ES2GHE3_A/I.pdf
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.1V @ 2A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    400V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    DO-214AA (SMB)
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    Automotive, AEC-Q101
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    35ns
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    DO-214AA, SMB
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    53 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 400V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    10µA @ 50V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    2A
  • Dung @ VR, F
    15pF @ 4V, 1MHz

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27

AMD ra mắt việc xây dựng giai đoạn thứ hai của Trun...

2024/11/26

Card đồ họa NVIDIA RTX 5090 có diện tích GPU là 744m...

2024/11/25

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

2024/11/23

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

2024/11/22

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "ES2GHE3_A/I".
ES2J-LTP

ES2J-LTP

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: Micro Commercial Components (MCC)
Trong kho
RFQ
ES2GHM4G

ES2GHM4G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2J R5G

ES2J R5G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2GAHR3G

ES2GAHR3G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2GA M2G

ES2GA M2G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2GHE3/52T

ES2GHE3/52T

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2GHR5G

ES2GHR5G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2GHE3_A/H

ES2GHE3_A/H

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2G-M3/52T

ES2G-M3/52T

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2J M4G

ES2J M4G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2G-M3/5BT

ES2G-M3/5BT

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2HA R3G

ES2HA R3G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2HR5G

ES2HR5G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 500V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2GTR

ES2GTR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A SMA

Nhà sản xuất của: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Trong kho
RFQ
ES2JA R3G

ES2JA R3G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2GHE3/5BT

ES2GHE3/5BT

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2GA R3G

ES2GA R3G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2GAHM2G

ES2GAHM2G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
ES2G/1

ES2G/1

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
ES2JAHM2G

ES2JAHM2G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.