Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > SQM110N05-06L_GE3
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1294432Hình ảnh SQM110N05-06L_GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQM110N05-06L_GE3

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
800+
$1.635
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    SQM110N05-06L_GE3
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    MOSFET N-CH 55V 110A TO263
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    SQM110N05-06L_GE3.pdf
  • Mô hình ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)
    ±20V
  • Công nghệ
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    TO-263 (D2Pak)
  • Loạt
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    6 mOhm @ 30A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)
    157W (Tc)
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Vài cái tên khác
    SQM110N05-06L-GE3
    SQM110N05-06L-GE3-ND
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
    4440pF @ 25V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Loại FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)
    55V
  • miêu tả cụ thể
    N-Channel 55V 110A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "SQM110N05-06L_GE3".
SQM10SJB-9K1

SQM10SJB-9K1

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 20V 120A TO263

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SQM10SJB-82K

SQM10SJB-82K

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM120N04-1M7L_GE3

SQM120N04-1M7L_GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SQM120N06-3M5L_GE3

SQM120N06-3M5L_GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SQM120N03-1M5L_GE3

SQM120N03-1M5L_GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SQM110P06-8M9L_GE3

SQM110P06-8M9L_GE3

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SQM10SJB-8R2

SQM10SJB-8R2

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM10SJB-8K2

SQM10SJB-8K2

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM10SJB-9R1

SQM10SJB-9R1

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM10SJB-910R

SQM10SJB-910R

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM10SJB-82R

SQM10SJB-82R

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM110P04-04L-GE3

SQM110P04-04L-GE3

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 40V 120A TO263

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SQM10SJB-91K

SQM10SJB-91K

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM120N04-1M4L_GE3

SQM120N04-1M4L_GE3

Sự miêu tả: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SQM10SJB-91R

SQM10SJB-91R

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM10SJB-820R

SQM10SJB-820R

Sự miêu tả: RES WW 10W 5% TH

Nhà sản xuất của: Yageo
Trong kho
RFQ
SQM120N06-06_GE3

SQM120N06-06_GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.