Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > 1N3882R
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
2983810

1N3882R

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
100+
$5.138
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    1N3882R
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    GeneSiC Semiconductor
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    1.1N3882R.pdf
    2.1N3882R.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Đỉnh ngược (Max)
    Standard, Reverse Polarity
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    6A
  • Voltage - Breakdown
    DO-4
  • Loạt
    -
  • Tình trạng RoHS
    Bulk
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Kháng @ Nếu, F
    -
  • sự phân cực
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Vài cái tên khác
    1N3882RGN
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    200ns
  • gắn Loại
    Chassis, Stud Mount
  • Mức độ nhạy ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    10 Weeks
  • Số phần của nhà sản xuất
    1N3882R
  • Mô tả mở rộng
    Diode Standard, Reverse Polarity 300V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Cấu hình diode
    15µA @ 50V
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    1.4V @ 6A
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode)
    300V
  • Dung @ VR, F
    -65°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "1N3882R".
1N3883R

1N3883R

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3883

1N3883

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 6A DO4

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N3881R

1N3881R

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3880

1N3880

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N3880

1N3880

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3882

1N3882

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 300V 6A DO4

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N3889

1N3889

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 12A DO4

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N3883

1N3883

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3880R

1N3880R

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3881

1N3881

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N3889R

1N3889R

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N3881R

1N3881R

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N3889R

1N3889R

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3880R

1N3880R

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N3882R

1N3882R

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3881

1N3881

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3882

1N3882

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3883R

1N3883R

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N3889

1N3889

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N3890

1N3890

Sự miêu tả: FAST RECOVERY RECTIFIER

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.