Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > IXFN100N25
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
725952Hình ảnh IXFN100N25.IXYS Corporation

IXFN100N25

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
10+
$23.292
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    IXFN100N25
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    IXYS / Littelfuse
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    IXFN100N25.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 8mA
  • Vgs (Tối đa)
    ±20V
  • Công nghệ
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    SOT-227B
  • Loạt
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    27 mOhm @ 500mA, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)
    600W (Tc)
  • Bao bì
    Tube
  • Gói / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn Loại
    Chassis Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
    9100pF @ 25V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • Loại FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)
    250V
  • miêu tả cụ thể
    N-Channel 250V 100A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "IXFN100N25".
IXFN100N50P

IXFN100N50P

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN120N65X2

IXFN120N65X2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN110N85X

IXFN110N85X

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN106N20

IXFN106N20

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN120N20

IXFN120N20

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFM1766

IXFM1766

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFM35N30

IXFM35N30

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN110N60P3

IXFN110N60P3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN100N10S1

IXFN100N10S1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFM42N20

IXFM42N20

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFM1627

IXFM1627

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFM1633

IXFM1633

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN102N30P

IXFN102N30P

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

Nhà sản xuất của: IXYS
Trong kho
RFQ
IXFN120N25

IXFN120N25

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXFN100N20

IXFN100N20

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.