Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - IGBTs - Các mô-đun > IXGN100N170
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
3041940

IXGN100N170

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
10+
$44.504
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    IXGN100N170
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    IXYS / Littelfuse
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    IXGN100N170.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    1700V
  • VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 100A
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    SOT-227B
  • Loạt
    -
  • Power - Max
    735W
  • Gói / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC Thermistor
    No
  • gắn Loại
    Chassis Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Điện dung (Cies) @ VCE
    9.22nF @ 25V
  • Đầu vào
    Standard
  • Loại IGBT
    NPT
  • miêu tả cụ thể
    IGBT Module NPT Single 1700V 160A 735W Chassis Mount SOT-227B
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)
    50µA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
    160A
  • Cấu hình
    Single

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "IXGN100N170".
IXGM40N60

IXGM40N60

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGM40N60A

IXGM40N60A

Sự miêu tả: IGBT LO VOLT 600V 75AMP TO-204AE

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN200N60

IXGN200N60

Sự miêu tả: IGBT 300A 600V SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN120N60A3D1

IXGN120N60A3D1

Sự miêu tả: IGBT 200A 600V SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN200N60B3

IXGN200N60B3

Sự miêu tả: IGBT 300A 600V SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN120N60A3

IXGN120N60A3

Sự miêu tả: IGBT 200A 600V SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN200N170

IXGN200N170

Sự miêu tả: IGBT

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGM30N60

IXGM30N60

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGM20N60A

IXGM20N60A

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN400N30A3

IXGN400N30A3

Sự miêu tả: IGBT 300V SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGM25N100A

IXGM25N100A

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGM20N60

IXGM20N60

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN100N120

IXGN100N120

Sự miêu tả: IGBT 160A 1200V SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN100N160A

IXGN100N160A

Sự miêu tả: IGBT 200A 1600V SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGM40N60AL

IXGM40N60AL

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN320N60A3

IXGN320N60A3

Sự miêu tả: IGBT 600V SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN200N60B

IXGN200N60B

Sự miêu tả: IGBT FAST 600V 200A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN200N60A2

IXGN200N60A2

Sự miêu tả: IGBT 600V 200A SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGM17N100A

IXGM17N100A

Sự miêu tả: POWER MOSFET TO-3

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
IXGN200N60A

IXGN200N60A

Sự miêu tả: IGBT 300A 600V SOT-227B

Nhà sản xuất của: IXYS Corporation
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.