Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > IPD035N06L3GATMA1
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1471411Hình ảnh IPD035N06L3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD035N06L3GATMA1

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    IPD035N06L3GATMA1
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    IPD035N06L3GATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 93µA
  • Vgs (Tối đa)
    ±20V
  • Công nghệ
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    PG-TO252-3
  • Loạt
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    3.5 mOhm @ 90A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)
    167W (Tc)
  • Bao bì
    Cut Tape (CT)
  • Gói / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Vài cái tên khác
    IPD035N06L3 GCT
    IPD035N06L3 GCT-ND
    IPD035N06L3GATMA1CT
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs
    79nC @ 4.5V
  • Loại FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)
    60V
  • miêu tả cụ thể
    N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "IPD035N06L3GATMA1".
IPD04N03LB G

IPD04N03LB G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD03N03LA G

IPD03N03LA G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 90A TO-252

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD031N03LGBTMA1

IPD031N03LGBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD038N04NGBTMA1

IPD038N04NGBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD042P03L3GATMA1

IPD042P03L3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD033N06NATMA1

IPD033N06NATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD031N06L3GATMA1

IPD031N06L3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD031N03M G

IPD031N03M G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD03N03LB G

IPD03N03LB G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD04N03LA G

IPD04N03LA G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD040N03LGATMA1

IPD040N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD038N06N3GATMA1

IPD038N06N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD036N04LGBTMA1

IPD036N04LGBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD025N06NATMA1

IPD025N06NATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD042P03L3GBTMA1

IPD042P03L3GBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD040N03LGBTMA1

IPD040N03LGBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.