Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > IPD12CN10NGBUMA1
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1656768Hình ảnh IPD12CN10NGBUMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12CN10NGBUMA1

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    IPD12CN10NGBUMA1
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    IPD12CN10NGBUMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Tối đa)
    ±20V
  • Công nghệ
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    PG-TO252-3
  • Loạt
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    12.4 mOhm @ 67A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)
    125W (Tc)
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Vài cái tên khác
    IPD12CN10N G
    IPD12CN10N G-ND
    IPD12CN10NGBUMA1TR
    SP000096476
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
    4320pF @ 50V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Loại FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)
    100V
  • miêu tả cụ thể
    N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "IPD12CN10NGBUMA1".
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD144N06NGBTMA1

IPD144N06NGBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 59A

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Sự miêu tả: LV POWER MOS

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD10N03LA

IPD10N03LA

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 80V 45A

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
IPD105N03LGATMA1

IPD105N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.