Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > SI4435DYTR
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
3908302Hình ảnh SI4435DYTR.International Rectifier (Infineon Technologies)

SI4435DYTR

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    SI4435DYTR
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    SI4435DYTR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)
    ±20V
  • Công nghệ
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    8-SO
  • Loạt
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)
    2.5W (Ta)
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
    2320pF @ 15V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Loại FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)
    30V
  • miêu tả cụ thể
    P-Channel 30V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "SI4435DYTR".
SI4435DY

SI4435DY

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Sự miêu tả: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Nhà sản xuất của: Energy Micro (Silicon Labs)
Trong kho
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Sự miêu tả: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Nhà sản xuất của: Energy Micro (Silicon Labs)
Trong kho
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Sự miêu tả: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Nhà sản xuất của: Energy Micro (Silicon Labs)
Trong kho
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Sự miêu tả: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Nhà sản xuất của: Energy Micro (Silicon Labs)
Trong kho
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Sự miêu tả: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Nhà sản xuất của: Energy Micro (Silicon Labs)
Trong kho
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.