International Rectifier (Infineon Technologies)

SPD11N10

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

SPD11N10
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

SPD11N10.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 21µA
Vgs (Tối đa)

±20V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

P-TO252-3
Loạt

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, VGS

170 mOhm @ 7.8A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

50W (Tc)
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác

SP000013847
SPD11N10INTR
SPD11N10XT
SPD11N10XT-ND
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

18.3nC @ 10V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

100V
miêu tả cụ thể

N-Channel 100V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount P-TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

10.5A (Tc)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "SPD11N10".

SPD100N03S2L-04

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 100A DPAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

SPD11N10

Yêu cầu báo giá

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại