Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > R6008FNJTL
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
7055646Hình ảnh R6008FNJTL.LAPIS Semiconductor

R6008FNJTL

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1000+
$1.996
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    R6008FNJTL
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    LAPIS Technology
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    1.R6008FNJTL.pdf
    2.R6008FNJTL.pdf
  • Mô hình ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Tối đa)
    ±30V
  • Công nghệ
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    LPTS
  • Loạt
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    950 mOhm @ 4A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)
    50W (Tc)
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Vài cái tên khác
    R6008FNJTLTR
  • Nhiệt độ hoạt động
    150°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
    580pF @ 25V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Loại FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)
    600V
  • miêu tả cụ thể
    N-Channel 600V 8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "R6008FNJTL".
R6008ANX

R6008ANX

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R6007ENJTL

R6007ENJTL

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R6007KNX

R6007KNX

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R601-000-001

R601-000-001

Sự miêu tả: GASKET

Nhà sản xuất của: Hammond Manufacturing
Trong kho
RFQ
R6009-00

R6009-00

Sự miêu tả: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM

Nhà sản xuất của: Harwin
Trong kho
RFQ
R6009KNJTL

R6009KNJTL

Sự miêu tả: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO263

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R6007ENX

R6007ENX

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 7A TO220

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R6009ENX

R6009ENX

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R6010-00

R6010-00

Sự miêu tả: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM

Nhà sản xuất của: Harwin
Trong kho
RFQ
R601-000-002

R601-000-002

Sự miêu tả: GASKET

Nhà sản xuất của: Hammond Manufacturing
Trong kho
RFQ
R6008FNX

R6008FNX

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R60060-3CR

R60060-3CR

Sự miêu tả: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Nhà sản xuất của: Bussmann (Eaton)
Trong kho
RFQ
R6009KNX

R6009KNX

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R6006ANX

R6006ANX

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R6009ENJTL

R6009ENJTL

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 9A LPT

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R6007KNJTL

R6007KNJTL

Sự miêu tả: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
R6008-00

R6008-00

Sự miêu tả: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM

Nhà sản xuất của: Harwin
Trong kho
RFQ
R60060-3COR

R60060-3COR

Sự miêu tả: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS

Nhà sản xuất của: Bussmann (Eaton)
Trong kho
RFQ
R601-000-000

R601-000-000

Sự miêu tả: GASKET

Nhà sản xuất của: Hammond Manufacturing
Trong kho
RFQ
R6006ANDTL

R6006ANDTL

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 6A CPT

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.