Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > RFN20NS4SFHTL
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
4728773Hình ảnh RFN20NS4SFHTL.LAPIS Semiconductor

RFN20NS4SFHTL

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1000+
$0.545
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    RFN20NS4SFHTL
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    LAPIS Technology
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    1.RFN20NS4SFHTL.pdf
    2.RFN20NS4SFHTL.pdf
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.55V @ 20A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    430V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    LPDS
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    Automotive, AEC-Q101
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    30ns
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Vài cái tên khác
    RFN20NS4SFHTLTR
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    150°C (Max)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    10 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 430V 20A Surface Mount LPDS
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    10µA @ 430V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    20A
  • Dung @ VR, F
    268pF @ 0V, 1MHz

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "RFN20NS4SFHTL".
RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

Sự miêu tả: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN10NS6STL

RFN10NS6STL

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN10NS6SFHTL

RFN10NS6SFHTL

Sự miêu tả: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN10TF6S

RFN10TF6S

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

Sự miêu tả: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN10T2D

RFN10T2D

Sự miêu tả: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

Sự miêu tả: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN20TF6S

RFN20TF6S

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN1L7STE25

RFN1L7STE25

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

Sự miêu tả: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN1L6STE25

RFN1L6STE25

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Nhà sản xuất của: LAPIS Semiconductor
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.