Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Mạch tích hợp (ICs) > Ký ức > NAND01GW3B2CN6E
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
4939105Hình ảnh NAND01GW3B2CN6E.Micron Technology

NAND01GW3B2CN6E

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
576+
$4.383
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    NAND01GW3B2CN6E
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Micron Technology
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    NAND01GW3B2CN6E.pdf
  • Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang
    25ns
  • Voltage - Cung cấp
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Công nghệ
    FLASH - NAND
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    48-TSOP
  • Loạt
    -
  • Bao bì
    Tray
  • Gói / Case
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Nhiệt độ hoạt động
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Loại bộ nhớ
    Non-Volatile
  • Kích thước bộ nhớ
    1Gb (128M x 8)
  • Giao diện bộ nhớ
    Parallel
  • Định dạng bộ nhớ
    FLASH
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thể
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP
  • Số phần cơ sở
    NAND01G-A
  • Thời gian truy cập
    25ns

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

2024/11/23

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

2024/11/22

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "NAND01GW3B2CN6E".
NAND04GR3B2DN6E

NAND04GR3B2DN6E

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND01GW4B2AN6E

NAND01GW4B2AN6E

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics
Trong kho
RFQ
NAND02GW3B2AN6F

NAND02GW3B2AN6F

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics
Trong kho
RFQ
NAND02GW3B2DN6E

NAND02GW3B2DN6E

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND02GR3B2DN6E

NAND02GR3B2DN6E

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND02GR3B2DZA6E

NAND02GR3B2DZA6E

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND04GW3B2DN6E

NAND04GW3B2DN6E

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND01GR3B2BZA6E

NAND01GR3B2BZA6E

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND01GW3A2AN6E

NAND01GW3A2AN6E

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics
Trong kho
RFQ
NAND04GW3C2BN6E

NAND04GW3C2BN6E

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND01GW3B2CZA6E

NAND01GW3B2CZA6E

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND01GW3B2AN6F

NAND01GW3B2AN6F

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics
Trong kho
RFQ
NAND01GW3B2BZA6E

NAND01GW3B2BZA6E

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND01GW3A0AN6E

NAND01GW3A0AN6E

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics
Trong kho
RFQ
NAND01GW3B2AZA6E

NAND01GW3B2AZA6E

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics
Trong kho
RFQ
NAND01GR3B2CZA6E

NAND01GR3B2CZA6E

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND01GW3B2AN6E

NAND01GW3B2AN6E

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics
Trong kho
RFQ
NAND02GW3B2DZA6E

NAND02GW3B2DZA6E

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND02GAH0LZC5E

NAND02GAH0LZC5E

Sự miêu tả: IC FLASH 2G MMC 52MHZ 153LFBGA

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
NAND02GAH0IZC5E

NAND02GAH0IZC5E

Sự miêu tả: IC FLASH 2G MMC 52MHZ 153LFBGA

Nhà sản xuất của: Micron Technology
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.