Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > 1N5554
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1752292Hình ảnh 1N5554.Microsemi

1N5554

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1+
$11.55
10+
$10.395
100+
$8.547
500+
$7.161
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    1N5554
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    1N5554.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.2V @ 9A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    1000V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    -
  • Tốc độ
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Loạt
    -
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    2µs
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    B, Axial
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    7 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 1000V 3A Through Hole
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    1µA @ 1000V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    3A
  • Dung @ VR, F
    -

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "1N5554".
1N5553

1N5553

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5553US

1N5553US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 5A

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5610

1N5610

Sự miêu tả: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5613

1N5613

Sự miêu tả: TVS DIODE C-BODY

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5558

1N5558

Sự miêu tả: TVS DIODE 175V 265V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5553C.TR

1N5553C.TR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5553

1N5553

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5552

1N5552

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5611

1N5611

Sự miêu tả: TVS DIODE

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5554US

1N5554US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 5A

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5554

1N5554

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5556

1N5556

Sự miêu tả: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5552C.TR

1N5552C.TR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5557

1N5557

Sự miêu tả: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5553US

1N5553US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5552

1N5552

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5554US

1N5554US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5552US

1N5552US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5554C.TR

1N5554C.TR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5555

1N5555

Sự miêu tả: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.