Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > 1N5809US
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1543493Hình ảnh 1N5809US.Microsemi

1N5809US

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1+
$11.29
10+
$10.159
100+
$8.353
500+
$6.998
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    1N5809US
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    1N5809US.pdf
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    875mV @ 4A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    100V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    B, SQ-MELF
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    -
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    30ns
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    SQ-MELF, B
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    7 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    5µA @ 100V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    3A
  • Dung @ VR, F
    60pF @ 10V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27

AMD ra mắt việc xây dựng giai đoạn thứ hai của Trun...

2024/11/26
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "1N5809US".
1N5813

1N5813

Sự miêu tả: RECTIFIER DIODE

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5811US

1N5811US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5809

1N5809

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5809US

1N5809US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 6A

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5811US

1N5811US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 6A

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5809US.TR

1N5809US.TR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 6A

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5812

1N5812

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5808

1N5808

Sự miêu tả: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5806US

1N5806US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5811

1N5811

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5811TR

1N5811TR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5806US

1N5806US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5807

1N5807

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5811C.TR

1N5811C.TR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5807

1N5807

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
1N5809

1N5809

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5812R

1N5812R

Sự miêu tả: RECTIFIER DIODE

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5806TR

1N5806TR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5807US

1N5807US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N5807US

1N5807US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 6A

Nhà sản xuất của: Semtech
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.