Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > 1N6627US
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
4611748Hình ảnh 1N6627US.Microsemi

1N6627US

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
100+
$12.816
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    1N6627US
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    1N6627US.pdf
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.35V @ 2A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    440V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    A-MELF
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    -
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    30ns
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    SQ-MELF, A
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 440V 1.75A Surface Mount A-MELF
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    2µA @ 440V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    1.75A
  • Dung @ VR, F
    40pF @ 10V, 1MHz

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "1N6627US".
1N6631US

1N6631US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6632

1N6632

Sự miêu tả: DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6625US

1N6625US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6628

1N6628

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6629US

1N6629US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6630

1N6630

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6628US

1N6628US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6630US

1N6630US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6625

1N6625

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6632US

1N6632US

Sự miêu tả: DIODE ZENER 3.3V 5W D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6629

1N6629

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6626

1N6626

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6626US

1N6626US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6624

1N6624

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6627

1N6627

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6631

1N6631

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6624US

1N6624US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6623

1N6623

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6623US

1N6623US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N6625E3

1N6625E3

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.