Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Điốt - Zener - Đơn > 1N821A, SEL. 1% VBR
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
3972136Hình ảnh 1N821A, SEL. 1% VBR.Microsemi

1N821A, SEL. 1% VBR

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    1N821A, SEL. 1% VBR
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    1N821A, SEL. 1% VBR.pdf
  • Voltage - Zener (chữ Nôm) (Vz)
    6.2V
  • Lòng khoan dung
    ±1%
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    DO-35 (DO-204AH)
  • Loạt
    -
  • Power - Max
    500mW
  • Bao bì
    Tray
  • Gói / Case
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Vài cái tên khác
    1N821A, SEL. 1% VBR-ND
    1N821A,SEL.1%VBR
    Q8814842
  • Nhiệt độ hoạt động
    -65°C ~ 175°C
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Trở kháng (Max) (Zzt)
    10 Ohms
  • miêu tả cụ thể
    Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    2µA @ 3V

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "1N821A, SEL. 1% VBR".
1N822

1N822

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N823AUR

1N823AUR

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N821-1

1N821-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N8033-GA

1N8033-GA

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N8149

1N8149

Sự miêu tả: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N823A

1N823A

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N823

1N823

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N821A

1N821A

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N823AUR-1

1N823AUR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N8165US

1N8165US

Sự miêu tả: TVS DIODE 33V 53.6V

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N8182

1N8182

Sự miêu tả: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N823-1

1N823-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Nhà sản xuất của: GeneSiC Semiconductor
Trong kho
RFQ
1N823UR-1

1N823UR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N821

1N821

Sự miêu tả: DIODE ZENER DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Sự miêu tả: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.