Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - IGBT - Đơn > APT36GA60B
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
411460Hình ảnh APT36GA60B.Microsemi

APT36GA60B

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1+
$6.81
10+
$6.078
30+
$5.47
120+
$4.984
270+
$4.498
510+
$4.036
1020+
$3.404
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    APT36GA60B
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    IGBT 600V 65A 290W TO-247
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    APT36GA60B.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 20A
  • Điều kiện kiểm tra
    400V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (bật / tắt) @ 25 ° C
    16ns/122ns
  • chuyển đổi năng lượng
    307µJ (on), 254µJ (off)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    TO-247 [B]
  • Loạt
    POWER MOS 8™
  • Power - Max
    290W
  • Bao bì
    Tube
  • Gói / Case
    TO-247-3
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    29 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kiểu đầu vào
    Standard
  • Loại IGBT
    PT
  • cổng phí
    102nC
  • miêu tả cụ thể
    IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Hiện tại - Collector xung (Icm)
    109A
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
    65A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "APT36GA60B".
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Sự miêu tả: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Sự miêu tả: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 700V TO247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT38F80L

APT38F80L

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT37F50B

APT37F50B

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Sự miêu tả: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Sự miêu tả: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT37F50S

APT37F50S

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Sự miêu tả: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Sự miêu tả: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT38F80B2

APT38F80B2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Sự miêu tả: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Sự miêu tả: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT38M50J

APT38M50J

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Sự miêu tả: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.