Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - IGBTs - Các mô-đun > APTGT30TL601G
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
5757857

APTGT30TL601G

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
100+
$34.508
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    APTGT30TL601G
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    MOD IGBT 600V 50A SP1
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    APTGT30TL601G.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    SP1
  • Loạt
    -
  • Power - Max
    90W
  • Gói / Case
    SP1
  • Nhiệt độ hoạt động
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC Thermistor
    No
  • gắn Loại
    Chassis Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    32 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Điện dung (Cies) @ VCE
    1.6nF @ 25V
  • Đầu vào
    Standard
  • Loại IGBT
    Trench Field Stop
  • miêu tả cụ thể
    IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP1
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)
    250µA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
    50A
  • Cấu hình
    Three Level Inverter

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "APTGT30TL601G".
APTGT30DDA60T3G

APTGT30DDA60T3G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT35DA120D1G

APTGT35DA120D1G

Sự miêu tả: IGBT 1200V 55A 205W D1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30DSK60T3G

APTGT30DSK60T3G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT35X120T3G

APTGT35X120T3G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30DA170D1G

APTGT30DA170D1G

Sự miêu tả: IGBT 1700V 45A 210W D1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30X60T3G

APTGT30X60T3G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30SK170T1G

APTGT30SK170T1G

Sự miêu tả: IGBT 1700V 45A 210W SP1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30H60T3G

APTGT30H60T3G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30SK170D1G

APTGT30SK170D1G

Sự miêu tả: IGBT 1700V 45A 210W D1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30DA170T1G

APTGT30DA170T1G

Sự miêu tả: IGBT 1700V 45A 210W SP1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30H170T3G

APTGT30H170T3G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30H60T1G

APTGT30H60T1G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT35A120T1G

APTGT35A120T1G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT400A120D3G

APTGT400A120D3G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30A60T1G

APTGT30A60T1G

Sự miêu tả: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT35H120T3G

APTGT35H120T3G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT30TL60T3G

APTGT30TL60T3G

Sự miêu tả: MOD IGBT 600V 50A SP3

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT35SK120D1G

APTGT35SK120D1G

Sự miêu tả: IGBT 1200V 55A 205W D1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APTGT35A120D1G

APTGT35A120D1G

Sự miêu tả: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.