Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > JAN1N3613
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
6342342Hình ảnh JAN1N3613.Microsemi

JAN1N3613

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1+
$9.57
10+
$8.613
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JAN1N3613
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JAN1N3613.pdf
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.1V @ 1A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    600V
  • Tốc độ
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/228
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    A, Axial
  • Vài cái tên khác
    1086-1998
    1086-1998-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    8 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    100µA @ 300V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    1A
  • Dung @ VR, F
    -

Card đồ họa NVIDIA RTX 5090 có diện tích GPU là 744m...

2024/11/25

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

2024/11/23

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

2024/11/22

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JAN1N3613".
JAN1N3595AUR-1

JAN1N3595AUR-1

Sự miêu tả: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3611

JAN1N3611

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N3647

JAN1N3647

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N3645

JAN1N3645

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3595-1

JAN1N3595-1

Sự miêu tả: DIODE SW 125V 150MA DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N3614

JAN1N3614

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3600

JAN1N3600

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N3339B

JAN1N3339B

Sự miêu tả: DIODE ZENER 50W DO-203AB

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3338B

JAN1N3338B

Sự miêu tả: DIODE ZENER 82V 50W DO203AB

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3595AUS

JAN1N3595AUS

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 125V 150MA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3612

JAN1N3612

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N3644

JAN1N3644

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

Sự miêu tả: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3646

JAN1N3646

Sự miêu tả: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N3595A-1

JAN1N3595A-1

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.