Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > JAN1N5550US
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
3922908

JAN1N5550US

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
100+
$13.707
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JAN1N5550US
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JAN1N5550US.pdf
  • Voltage - Đỉnh ngược (Max)
    Standard
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    3A
  • Voltage - Breakdown
    D-5B
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Tình trạng RoHS
    Bulk
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Kháng @ Nếu, F
    -
  • sự phân cực
    SQ-MELF, B
  • Vài cái tên khác
    1086-19411
    1086-19411-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    2µs
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Mức độ nhạy ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    8 Weeks
  • Số phần của nhà sản xuất
    JAN1N5550US
  • Mô tả mở rộng
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
  • Cấu hình diode
    1µA @ 200V
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    1.2V @ 9A
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode)
    200V
  • Dung @ VR, F
    -65°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27

AMD ra mắt việc xây dựng giai đoạn thứ hai của Trun...

2024/11/26
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JAN1N5550US".
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Sự miêu tả: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5545D-1

JAN1N5545D-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5545CUR-1

JAN1N5545CUR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Sự miêu tả: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5545DUR-1

JAN1N5545DUR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.