Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > JAN1N5711UR-1
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1693938Hình ảnh JAN1N5711UR-1.Microsemi

JAN1N5711UR-1

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
100+
$14.10
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JAN1N5711UR-1
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JAN1N5711UR-1.pdf
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1V @ 15mA
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    70V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    DO-213AA
  • Tốc độ
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/444
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    DO-213AA
  • Vài cái tên khác
    1086-15224
    1086-15224-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    11 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Loại diode
    Schottky
  • miêu tả cụ thể
    Diode Schottky 70V 33mA Surface Mount DO-213AA
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    200nA @ 50V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    33mA
  • Dung @ VR, F
    2pF @ 0V, 1MHz

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

2024/11/23

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

2024/11/22

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JAN1N5711UR-1".
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Sự miêu tả: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Sự miêu tả: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Sự miêu tả: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Sự miêu tả: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Sự miêu tả: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Sự miêu tả: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Sự miêu tả: TVS DIODE 53V 85V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Sự miêu tả: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Sự miêu tả: TVS DIODE 111V 179V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Sự miêu tả: TVS DIODE 10CFLATPACK

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.