Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Bảo vệ mạch > TVS - điốt > JAN1N6105A
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
6486587

JAN1N6105A

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
100+
$18.475
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JAN1N6105A
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    TVS DIODE 6.9V 13.4V AXIAL
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JAN1N6105A.pdf
  • Voltage - Xếp Standoff (Typ)
    6.9V
  • Điện áp - kẹp (tối đa) @ Ipp
    13.4V
  • Điện áp - Sự cố (Tối thiểu)
    8.65V
  • Kiểu
    Zener
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    Axial
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Bảo vệ đường dây điện
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    B, Axial
  • Vài cái tên khác
    1086-2138
    1086-2138-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    18 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Dòng điện - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    37.3A
  • Dung @ Tần số
    -
  • Kênh hai chiều
    1
  • Các ứng dụng
    General Purpose

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

2024/11/23

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

2024/11/22

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JAN1N6105A".
JAN1N6107AUS

JAN1N6107AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 8.4V 15.6V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6103

JAN1N6103

Sự miêu tả: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6106

JAN1N6106

Sự miêu tả: TVS DIODE 7.6V 15.23V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6105

JAN1N6105

Sự miêu tả: TVS DIODE 6.9V 14.07V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6106AUS

JAN1N6106AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 7.6V 14.5V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6105AUS

JAN1N6105AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 6.9VWM 13.4VC SQMELF

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6103A

JAN1N6103A

Sự miêu tả: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6101

JAN1N6101

Sự miêu tả: TVS DIODE 16CDIP

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6105US

JAN1N6105US

Sự miêu tả: TVS DIODE 6.9V 14.07V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6103AUS

JAN1N6103AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6106US

JAN1N6106US

Sự miêu tả: TVS DIODE 7.6V 15.23V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6104

JAN1N6104

Sự miêu tả: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6103US

JAN1N6103US

Sự miêu tả: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6104US

JAN1N6104US

Sự miêu tả: TVS DIODE 6.2V 12.71V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6107US

JAN1N6107US

Sự miêu tả: TVS DIODE 8.4V 16.38V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6104AUS

JAN1N6104AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 6.2V 12.1V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6107

JAN1N6107

Sự miêu tả: TVS DIODE 8.4V 16.38V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6107A

JAN1N6107A

Sự miêu tả: TVS DIODE 8.4V 15.6V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6106A

JAN1N6106A

Sự miêu tả: TVS DIODE 7.6V 14.5V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6104A

JAN1N6104A

Sự miêu tả: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.