Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Bảo vệ mạch > TVS - điốt > JAN1N6150
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
4213063

JAN1N6150

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
100+
$17.815
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JAN1N6150
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    TVS DIODE 16.7V 32.03V C AXIAL
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JAN1N6150.pdf
  • Voltage - Xếp Standoff (Typ)
    16.7V
  • Điện áp - kẹp (tối đa) @ Ipp
    32.03V
  • Điện áp - Sự cố (Tối thiểu)
    19.86V
  • Kiểu
    Zener
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    C, Axial
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Bảo vệ đường dây điện
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    Axial
  • Vài cái tên khác
    1086-19641
    1086-19641-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    18 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Dòng điện - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    46.74A
  • Dung @ Tần số
    -
  • Kênh hai chiều
    1
  • Các ứng dụng
    General Purpose

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JAN1N6150".
JAN1N6148US

JAN1N6148US

Sự miêu tả: TVS DIODE 13.7VWM 26.36VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6152A

JAN1N6152A

Sự miêu tả: TVS DIODE 20.6V 37.4V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6148AUS

JAN1N6148AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 13.7VWM 25.1VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6151AUS

JAN1N6151AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 18.2VWM 33.3VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6149A

JAN1N6149A

Sự miêu tả: TVS DIODE 15.2V 27.7V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6149AUS

JAN1N6149AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 15.2VWM 27.7VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6147AUS

JAN1N6147AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 12.2VWM 22.3VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6151

JAN1N6151

Sự miêu tả: TVS DIODE 18.2V 34.97V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6150US

JAN1N6150US

Sự miêu tả: TVS DIODE 16.7VWM 32.03VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6148A

JAN1N6148A

Sự miêu tả: TVS DIODE 13.7V 25.1V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6150A

JAN1N6150A

Sự miêu tả: TVS DIODE 16.7V 30.5V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6152AUS

JAN1N6152AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 20.6VWM 37.4VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6148

JAN1N6148

Sự miêu tả: TVS DIODE 13.7V 26.36V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6151A

JAN1N6151A

Sự miêu tả: TVS DIODE 18.2V 33.3V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6150AUS

JAN1N6150AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 16.7VWM 30.5VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6151US

JAN1N6151US

Sự miêu tả: TVS DIODE 18.2VWM 34.97VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6147US

JAN1N6147US

Sự miêu tả: TVS DIODE 12.2VWM 23.42VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6152

JAN1N6152

Sự miêu tả: TVS DIODE 20.6VWM 39.27VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6149

JAN1N6149

Sự miêu tả: TVS DIODE 15.2V 29.09V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6149US

JAN1N6149US

Sự miêu tả: TVS DIODE 15.2VWM 29.09VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.