Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Bảo vệ mạch > TVS - điốt > JAN1N6163US
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
6425714

JAN1N6163US

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
100+
$21.725
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JAN1N6163US
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JAN1N6163US.pdf
  • Điện áp - kẹp (tối đa) @ Ipp
    67.74V
  • Voltage - Breakover
    1
  • Điện áp - Sự cố (Tối thiểu)
    56V
  • Voltage - Breakdown
    C, SQ-MELF
  • Kiểu
    Zener
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Tình trạng RoHS
    Bulk
  • Ripple hiện tại - tần số thấp
    General Purpose
  • Bảo vệ đường dây điện
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    13.78A
  • sự phân cực
    SQ-MELF, C
  • Vài cái tên khác
    1086-19740
    1086-19740-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Mức độ nhạy ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Số phần của nhà sản xuất
    JAN1N6163US
  • Sự miêu tả
    TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG
  • Dòng điện - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    108.26V
  • Dung @ Tần số
    -
  • Kênh hai chiều
    No

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27

AMD ra mắt việc xây dựng giai đoạn thứ hai của Trun...

2024/11/26

Card đồ họa NVIDIA RTX 5090 có diện tích GPU là 744m...

2024/11/25

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

2024/11/23

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

2024/11/22

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JAN1N6163US".
JAN1N6165

JAN1N6165

Sự miêu tả: TVS DIODE 69.2V 131.36V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6162A

JAN1N6162A

Sự miêu tả: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6165A

JAN1N6165A

Sự miêu tả: TVS DIODE 69.2VWM CPKG AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6161US

JAN1N6161US

Sự miêu tả: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6162AUS

JAN1N6162AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6164A

JAN1N6164A

Sự miêu tả: TVS DIODE 62.2VWM CPKG AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6166

JAN1N6166

Sự miêu tả: TVS DIODE 76V 144.48V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6163A

JAN1N6163A

Sự miêu tả: TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6163

JAN1N6163

Sự miêu tả: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6165AUS

JAN1N6165AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 69.2V 125.1V C SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6161AUS

JAN1N6161AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6166A

JAN1N6166A

Sự miêu tả: TVS DIODE 76VWM CPKG AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6162US

JAN1N6162US

Sự miêu tả: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6162

JAN1N6162

Sự miêu tả: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6161A

JAN1N6161A

Sự miêu tả: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6164AUS

JAN1N6164AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 62.2V 112.8V C SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6165US

JAN1N6165US

Sự miêu tả: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6163AUS

JAN1N6163AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6164US

JAN1N6164US

Sự miêu tả: TVS DIODE 62.2V 118.44V SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6164

JAN1N6164

Sự miêu tả: TVS DIODE 62.2V 118.44V C AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.