Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Bảo vệ mạch > TVS - điốt > JAN1N6474US
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
732202Hình ảnh JAN1N6474US.Microsemi

JAN1N6474US

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1+
$30.58
10+
$28.287
25+
$25.993
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JAN1N6474US
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JAN1N6474US.pdf
  • Voltage - Xếp Standoff (Typ)
    30.5V
  • Điện áp - kẹp (tối đa) @ Ipp
    47.5V
  • Điện áp - Sự cố (Tối thiểu)
    33V
  • Các kênh không định hướng
    1
  • Kiểu
    Zener
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    G-MELF (D-5C)
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/552
  • Bảo vệ đường dây điện
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    SQ-MELF, G
  • Vài cái tên khác
    1086-2293
    1086-2293-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    18 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Dòng điện - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    181A (8/20µs)
  • Dung @ Tần số
    -
  • Các ứng dụng
    General Purpose

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27

AMD ra mắt việc xây dựng giai đoạn thứ hai của Trun...

2024/11/26
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JAN1N6474US".
JAN1N6472

JAN1N6472

Sự miêu tả: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Sự miêu tả: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Sự miêu tả: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Sự miêu tả: TVS DIODE 14CDIP

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Sự miêu tả: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6471

JAN1N6471

Sự miêu tả: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6470

JAN1N6470

Sự miêu tả: TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Sự miêu tả: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Sự miêu tả: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Sự miêu tả: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6470US

JAN1N6470US

Sự miêu tả: TVS DIODE 6V 11V GMELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Sự miêu tả: TVS DIODE 14CDIP

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6471US

JAN1N6471US

Sự miêu tả: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N647-1

JAN1N647-1

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Sự miêu tả: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Sự miêu tả: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Sự miêu tả: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Sự miêu tả: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Sự miêu tả: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.