Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > JAN1N6629
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1753245

JAN1N6629

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JAN1N6629
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JAN1N6629.pdf
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.4V @ 1.4A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    880V
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    50ns
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    E, Axial
  • Vài cái tên khác
    1086-2307
    1086-2307-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 880V 1.4A Through Hole
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    2µA @ 800V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    1.4A
  • Dung @ VR, F
    -

Card đồ họa NVIDIA RTX 5090 có diện tích GPU là 744m...

2024/11/25

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

2024/11/23

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

2024/11/22

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JAN1N6629".
JAN1N6638

JAN1N6638

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.