Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > JANS1N6677UR-1
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
5671151

JANS1N6677UR-1

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JANS1N6677UR-1
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JANS1N6677UR-1.pdf
  • Voltage - Đỉnh ngược (Max)
    Schottky
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    200mA
  • Voltage - Breakdown
    DO-213AA
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/610
  • Tình trạng RoHS
    Bulk
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Kháng @ Nếu, F
    -
  • sự phân cực
    DO-213AA
  • Vài cái tên khác
    1086-16033
    1086-16033-MIL
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Mức độ nhạy ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Số phần của nhà sản xuất
    JANS1N6677UR-1
  • Mô tả mở rộng
    Diode Schottky 40V 200mA Surface Mount DO-213AA
  • Cấu hình diode
    5µA @ 40V
  • Sự miêu tả
    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    500mV @ 200mA
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode)
    40V
  • Dung @ VR, F
    -65°C ~ 125°C

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JANS1N6677UR-1".
JANS2N2222A

JANS2N2222A

Sự miêu tả: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS2N2222AUBC

JANS2N2222AUBC

Sự miêu tả: NPN TRANSISTOR

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N6761UR-1

JANS1N6761UR-1

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JANS2N2369AUB

JANS2N2369AUB

Sự miêu tả: TRANS NPN 15V SMD

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N6638

JANS1N6638

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N6640

JANS1N6640

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO204AH

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N943BUR-1

JANS1N943BUR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N6662US

JANS1N6662US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JANS1N6661

JANS1N6661

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JANS1N6642U

JANS1N6642U

Sự miêu tả: DIODE SWITCHING D-5D

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N6636US

JANS1N6636US

Sự miêu tả: DIODE ZENER 4.7V 5W D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N938B-1

JANS1N938B-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N6642

JANS1N6642

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N941B-1

JANS1N941B-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N6491US

JANS1N6491US

Sự miêu tả: DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N938BUR-1

JANS1N938BUR-1

Sự miêu tả: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N6632US

JANS1N6632US

Sự miêu tả: DIODE ZENER 3.6V 5W D5B

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS2N2221AUBC

JANS2N2221AUBC

Sự miêu tả: NPN TRANSISTOR

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS2N2369AUBC

JANS2N2369AUBC

Sự miêu tả: NPN TRANSISTOR

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANS1N6661US

JANS1N6661US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.