Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > JANTXV1N5617US
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
759532

JANTXV1N5617US

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
156+
$12.061
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JANTXV1N5617US
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 400V 1A A-MELF
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JANTXV1N5617US.pdf
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.6V @ 3A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    400V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    D-5A
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    150ns
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    SQ-MELF, A
  • Vài cái tên khác
    1086-19420
    1086-19420-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    14 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    500nA @ 400V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    1A
  • Dung @ VR, F
    -

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

2024/11/23

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

2024/11/22

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JANTXV1N5617US".
JANTXV1N5622

JANTXV1N5622

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5616

JANTXV1N5616

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5622US

JANTXV1N5622US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5618

JANTXV1N5618

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5616US

JANTXV1N5616US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5611

JANTXV1N5611

Sự miêu tả: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5615

JANTXV1N5615

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5620

JANTXV1N5620

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 1A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5621

JANTXV1N5621

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5617

JANTXV1N5617

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5619US

JANTXV1N5619US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5619

JANTXV1N5619

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5614US

JANTXV1N5614US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5614

JANTXV1N5614

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5613

JANTXV1N5613

Sự miêu tả: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5612

JANTXV1N5612

Sự miêu tả: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5621US

JANTXV1N5621US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5615US

JANTXV1N5615US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5618US

JANTXV1N5618US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5623

JANTXV1N5623

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.