Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Bảo vệ mạch > TVS - điốt > JANTXV1N6053A
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
711931

JANTXV1N6053A

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JANTXV1N6053A
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    TVS DIODE 33V 53.9V DO13
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JANTXV1N6053A.pdf
  • Voltage - Xếp Standoff (Typ)
    33V
  • Điện áp - kẹp (tối đa) @ Ipp
    53.9V
  • Điện áp - Sự cố (Tối thiểu)
    37.1V
  • Kiểu
    Zener
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    DO-13 (DO-202AA)
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/507
  • Bảo vệ đường dây điện
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    DO-13
  • Vài cái tên khác
    1086-15880
    1086-15880-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Dòng điện - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    28A
  • Dung @ Tần số
    -
  • Kênh hai chiều
    1
  • Các ứng dụng
    General Purpose

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JANTXV1N6053A".
JANTXV1N5907

JANTXV1N5907

Sự miêu tả: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5819UR-1

JANTXV1N5819UR-1

Sự miêu tả: SCHOTTKY

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6073

JANTXV1N6073

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6078

JANTXV1N6078

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6076

JANTXV1N6076

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6059A

JANTXV1N6059A

Sự miêu tả: TVS DIODE 58V 92V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5968

JANTXV1N5968

Sự miêu tả: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5968US

JANTXV1N5968US

Sự miêu tả: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6077

JANTXV1N6077

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5814

JANTXV1N5814

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6100

JANTXV1N6100

Sự miêu tả: TVS DIODE 14CFLATPACK

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6036A

JANTXV1N6036A

Sự miêu tả: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6081

JANTXV1N6081

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi Corporation
Trong kho
RFQ
JANTXV1N5819-1

JANTXV1N5819-1

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6074

JANTXV1N6074

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6041A

JANTXV1N6041A

Sự miêu tả: TVS DIODE 10V 16.7V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6075

JANTXV1N6075

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6047A

JANTXV1N6047A

Sự miêu tả: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6063A

JANTXV1N6063A

Sự miêu tả: TVS DIODE 82V 137V DO13

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.