Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Bảo vệ mạch > TVS - điốt > JANTXV1N6112US
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
2134581Hình ảnh JANTXV1N6112US.Microsemi

JANTXV1N6112US

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    JANTXV1N6112US
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    TVS DIODE 13.7V 26.36V B SQ-MELF
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Chứa chì / RoHS không tuân thủ
  • Bảng dữ liệu
    JANTXV1N6112US.pdf
  • Voltage - Xếp Standoff (Typ)
    13.7V
  • Điện áp - kẹp (tối đa) @ Ipp
    26.36V
  • Điện áp - Sự cố (Tối thiểu)
    16.25V
  • Kiểu
    Zener
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    B, SQ-MELF
  • Loạt
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Bảo vệ đường dây điện
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Bao bì
    Bulk
  • Gói / Case
    SQ-MELF, B
  • Vài cái tên khác
    1086-2890
    1086-2890-MIL
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Dòng điện - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    18.91A
  • Dung @ Tần số
    -
  • Kênh hai chiều
    1
  • Các ứng dụng
    General Purpose

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "JANTXV1N6112US".
JANTXV1N6115A

JANTXV1N6115A

Sự miêu tả: TVS DIODE 18.2V 33.3V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6110A

JANTXV1N6110A

Sự miêu tả: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6114US

JANTXV1N6114US

Sự miêu tả: TVS DIODE 16.7V 32.03V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6112

JANTXV1N6112

Sự miêu tả: TVS DIODE 13.7V 26.36V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6114A

JANTXV1N6114A

Sự miêu tả: TVS DIODE 16.7V 30.5V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6113

JANTXV1N6113

Sự miêu tả: TVS DIODE 15.2V 29.09V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6115

JANTXV1N6115

Sự miêu tả: TVS DIODE 18.2V 34.97V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6112AUS

JANTXV1N6112AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 13.7V 25.1V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6113AUS

JANTXV1N6113AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 15.2V 27.7V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6111US

JANTXV1N6111US

Sự miêu tả: TVS DIODE 12.2V 23.42V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6113US

JANTXV1N6113US

Sự miêu tả: TVS DIODE 15.2V 29.09V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6113A

JANTXV1N6113A

Sự miêu tả: TVS DIODE 15.2V 27.7V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6111A

JANTXV1N6111A

Sự miêu tả: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6112A

JANTXV1N6112A

Sự miêu tả: TVS DIODE 13.7V 25.1V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6110AUS

JANTXV1N6110AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6114AUS

JANTXV1N6114AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 16.7V 30.5V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6110US

JANTXV1N6110US

Sự miêu tả: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6114

JANTXV1N6114

Sự miêu tả: TVS DIODE 16.7V 32.03V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6111AUS

JANTXV1N6111AUS

Sự miêu tả: TVS DIODE 12.2V 22.3V B SQ-MELF

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
JANTXV1N6111

JANTXV1N6111

Sự miêu tả: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.