BUK9609-55A,118

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

BUK9609-55A,118
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Freescale / NXP Semiconductors
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

BUK9609-55A,118.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Tối đa)

±15V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

D2PAK
Loạt

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS

8 mOhm @ 25A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

211W (Tc)
Bao bì

Original-Reel®
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác

568-9675-6
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

4633pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 5V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

55V
miêu tả cụ thể

N-Channel 55V 75A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "BUK9609-55A,118".

BUK9615-100A,118

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

BUK9609-55A,118

Yêu cầu báo giá

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại