PBLS4002V,115

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PBLS4002V,115
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Freescale / NXP Semiconductors
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

PBLS4002V,115.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V, 40V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
Loại bóng bán dẫn

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp

SOT-666
Loạt

-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)

4.7 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

300mW
Bao bì

Cut Tape (CT)
Gói / Case

SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác

568-7237-1
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition

300MHz
miêu tả cụ thể

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 500mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-666
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)

1µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

100mA, 500mA
Số phần cơ sở

PBLS4002

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PBLS4002V,115".

PBLS4002D,115

Sự miêu tả: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PBLS4002V,115

Yêu cầu báo giá

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại