PBSS5350S,126

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PBSS5350S,126
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Freescale / NXP Semiconductors
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TRANS PNP 50V 3A TO92
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 2A
Loại bóng bán dẫn

PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp

TO-92-3
Loạt

-
Power - Max

830mW
Bao bì

Tape & Box (TB)
Gói / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Vài cái tên khác

934056902126
PBSS5350S AMO
PBSS5350S AMO-ND
Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition

100MHz
miêu tả cụ thể

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 2A, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

3A
Số phần cơ sở

PBSS5350

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PBSS5350S,126".

PBSS5330PA,115

Sự miêu tả: TRANS PNP 30V 3A SOT1061

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PBSS5350S,126

Yêu cầu báo giá

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại