PDTD123YS,126

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PDTD123YS,126
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Freescale / NXP Semiconductors
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

PDTD123YS,126.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn

NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp

TO-92-3
Loạt

-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)

10 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

500mW
Bao bì

Tape & Box (TB)
Gói / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Vài cái tên khác

934059147126
PDTD123YS AMO
PDTD123YS AMO-ND
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
miêu tả cụ thể

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 50mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)

500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

500mA
Số phần cơ sở

PDTD123

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PDTD123YS,126".

PDTD143EUF

Sự miêu tả: TRANS PREBIAS NPN 0.425W

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PDTD123YS,126

Yêu cầu báo giá

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại