PMPB12UN,115

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PMPB12UN,115
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Freescale / NXP Semiconductors
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Tối đa)

±8V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

6-DFN2020MD (2x2)
Loạt

-
Rds On (Max) @ Id, VGS

18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

6-UDFN Exposed Pad
Vài cái tên khác

568-10451-2
934066861115
PMPB12UN,115-ND
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

886pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

20V
miêu tả cụ thể

N-Channel 20V 7.9A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

7.9A (Ta)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PMPB12UN,115".

PMPB10XNE,115

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PMPB12UN,115

Yêu cầu báo giá

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại