PSMN016-100XS,127

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PSMN016-100XS,127
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Freescale / NXP Semiconductors
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Tối đa)

±20V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

TO-220F
Loạt

-
Rds On (Max) @ Id, VGS

16 mOhm @ 10A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

46.1W (Tc)
Bao bì

Tube
Gói / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vài cái tên khác

568-9500-5
934066045127
PSMN016-100XS,127-ND
PSMN016-100XS127
PSMN016100XS127
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2404pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

46.2nC @ 10V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

100V
miêu tả cụ thể

N-Channel 100V 32.1A (Tc) 46.1W (Tc) Through Hole TO-220F
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

32.1A (Tc)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PSMN016-100XS,127".

PSMN014-80YLX

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 80V LFPAK56

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PSMN016-100XS,127

Yêu cầu báo giá

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại