BSH202,215

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

3000+

$0.114

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

BSH202,215
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Nexperia
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

BSH202,215.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.9V @ 1mA
Vgs (Tối đa)

±20V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

TO-236AB (SOT23)
Loạt

-
Rds On (Max) @ Id, VGS

900 mOhm @ 280mA, 10V
Điện cực phân tán (Max)

417mW (Ta)
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác

1727-6215-2
568-8026-2
568-8026-2-ND
934054718215
BSH202 T/R
BSH202 T/R-ND
BSH202,215-ND
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 24V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V
Loại FET

P-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

30V
miêu tả cụ thể

P-Channel 30V 520mA (Ta) 417mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

520mA (Ta)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "BSH202,215".

BSH111BKR

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 55V SOT-23

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

BSH202,215

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại