PBSS5130PAP,115

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

3000+

$0.165

6000+

$0.155

15000+

$0.144

30000+

$0.136

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PBSS5130PAP,115
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Nexperia
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

PBSS5130PAP,115.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic

280mV @ 50mA, 1A
Loại bóng bán dẫn

2 PNP (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp

6-HUSON-EP (2x2)
Loạt

-
Power - Max

510mW
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

6-UDFN Exposed Pad
Vài cái tên khác

1727-1078-2
568-10206-2
568-10206-2-ND
934066881115
PBSS5130PAP
Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

16 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition

125MHz
miêu tả cụ thể

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 30V 1A 125MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE

170 @ 500mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

1A
Số phần cơ sở

PBSS5130

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PBSS5130PAP,115".

PBSS5130QA

Sự miêu tả: TRANS PNP 30V 1A 3DFN

Nhà sản xuất của: Nexperia USA Inc.

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PBSS5130PAP,115

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại