PDTB113EUF

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

10000+

$0.054

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PDTB113EUF
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Nexperia
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TRANS PREBIAS PNP 0.425W
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

PDTB113EUF.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn

NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp

SOT-323-3
Loạt

-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)

1 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1)

1 kOhms
Power - Max

300mW
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

SC-70, SOT-323
Vài cái tên khác

934068333135
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition

140MHz
miêu tả cụ thể

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 140MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE

33 @ 50mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)

500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

500mA

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PDTB113EUF".

PDTB113ZS,126

Sự miêu tả: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

Nhà sản xuất của: NXP Semiconductors / Freescale

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PDTB113EUF

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại