PEMD12,115

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

4000+

$0.071

8000+

$0.062

12000+

$0.053

28000+

$0.049

100000+

$0.041

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PEMD12,115
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Nexperia
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

PEMD12,115.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp

SOT-666
Loạt

-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)

47 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1)

47 kOhms
Power - Max

300mW
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

SOT-563, SOT-666
Vài cái tên khác

1727-2155-2
568-12017-2-ND
568-12316-2-ND
934056859115
PEMD12 T/R
PEMD12 T/R-ND
PEMD12,115-ND
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

13 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition

-
miêu tả cụ thể

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)

1µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

100mA
Số phần cơ sở

MD12

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PEMD12,115".

PEMD16,115

Sự miêu tả: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PEMD12,115

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại