PMZB350UPE,315

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

10000+

$0.119

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PMZB350UPE,315
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Nexperia
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

PMZB350UPE,315.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA
Vgs (Tối đa)

±8V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

DFN1006B-3
Loạt

-
Rds On (Max) @ Id, VGS

450 mOhm @ 300mA, 4.5V
Điện cực phân tán (Max)

360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

3-XFDFN
Vài cái tên khác

1727-1243-2
568-10449-2
568-10449-2-ND
934066841315
PMZB350UPE,315-ND
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

8 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

127pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V
Loại FET

P-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

20V
miêu tả cụ thể

P-Channel 20V 1A (Ta) 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PMZB350UPE,315".

PMZB300XN,315

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PMZB350UPE,315

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại