PSMN130-200D,118

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

2500+

$0.725

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PSMN130-200D,118
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Nexperia
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

PSMN130-200D,118.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Tối đa)

±20V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

DPAK
Loạt

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS

130 mOhm @ 25A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

150W (Tc)
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác

1727-6296-2
568-8114-2
568-8114-2-ND
934055761118
PSMN130-200D /T3
PSMN130-200D /T3-ND
PSMN130-200D,118-ND
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

16 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2470pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

200V
miêu tả cụ thể

N-Channel 200V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PSMN130-200D,118".

PSMN1R0-30YLDX

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PSMN130-200D,118

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại