PSMN3R0-60ES,127

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

$2.46

50+

$1.985

100+

$1.787

500+

$1.39

1000+

$1.152

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PSMN3R0-60ES,127
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Nexperia
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

PSMN3R0-60ES,127.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Tối đa)

±20V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

I2PAK
Loạt

-
Rds On (Max) @ Id, VGS

3 mOhm @ 25A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

306W (Tc)
Bao bì

Tube
Gói / Case

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vài cái tên khác

1727-5437
568-6906-5
568-6906-5-ND
934064562127
PSMN3R060ES127
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

8079pF @ 30V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

60V
miêu tả cụ thể

N-Channel 60V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PSMN3R0-60ES,127".

PSMN2R8-80BS,118

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PSMN3R0-60ES,127

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại